Схема электронного балласта на КР1182ГГ2

Электронный балласт на микросхеме КР1182ГГ2

Наконец, схема электронного балласта на основе отечественной микросхемы КР1182ГГ2, выпускаемой Брянским ПО «СИТ», приведена на рисунке. Эта микросхема не имеет импортных аналогов, а в основе работы схемы лежит автогенераторный принцип. Разработчики включили в состав микросхемы специальный узел преобразования входного синусоидального напряжения (которое генерирует резонансная цепь) в прямоугольное, управляющее встроенными силовыми транзисторами. Именно при помощи этого схемотехнического приема удалось снизить тепловые потери и встроить транзисторы в корпус микросхемы.

Применять микросхему КР1182ГГ2 можно для построения сетевых балластов люминесцентных ламп в диапазоне мощности 7… 16 Вт, при этом силовые цепи допускают длительный ток до 280 мА в постоянном режиме, и ток до 600 мА в режиме перегрузки (кратковременно).

Входное напряжение 220 В 50 Гц подается через предохранитель F1 и ограничительный резистор R1 на диодный мост VD1…VD4. Конденсатор С1 и индуктивность L1 выполняют роль фильтра радиопомех, конденсатор С2 сглаживает пульсации выпрямленного напряжения. Питание «верхнего» и «нижнего» плеч схемы преобразования осуществляется от конденсаторов С4 (верхнее плечо) и С5 (нижнее плечо). Заряжается питающие конденсаторы от обмоток 1-2 и 5-6 трансформатора Т1. Для обеспечения насыщения трансформатора Т1 в моменты переключения введена стабилизирующая цепь R4, С7, подключенная к обмотке 3-4. Элементы R2, R3, СЗ задействованы в схеме старта балласта. Обмотка 1-2 трансформатора Т2 выполняет роль ограничительного балласта лампы EL1, а вот обмотка 3-4 того же трансформатора нужна для других целей — это датчик напряжения зажигания лампы. Дело в том, что зажигание лампы происходит в результате возникшего резонанса в контуре обмотки 1—2 трансформатора Т1 и конденсатора С8. Если лампа исправна, процесс будет однократным и не опасным, но в процессе старения лампы или ее разгерметизации может возникнуть опасный фальш-старт: напряжение на конденсаторе С8 и обмотке 1-2 Т1 превысят допустимые величины, произойдет выгорание балласта. Поэтому обмотка 3-4 через элементы R6, R7, VD5, С10, R5, VS1 подключена к входу микросхемы «7», высокий уровень сигнала на котором «срывает» генерацию, балласт блокируется до момента его отключения. Динистор VS1 включается при достижении напряжения определенного уровня (17…25 В).

Еще одна цепочка — позистор РТС и динистор VS2 — образуют узел предпускового подогрева лампы. Пока лампа не «запущена», она имеет высокое сопротивление, и электроды греются, будучи замкнутыми через открытый динистор VS1 и позистор РТС. После старта напряжение на лампе падает ниже уровня открывания VS1, динистор закрывается и отключает РТС. Обратите внимание: это наиболее удачное решение, так как отключенный позистор не может растрачивать энергию. Впрочем, читатель может отказаться от функции подогрева и функции защиты — стоит только исключить элементы РТС, VS1, VS2, R5, R6, R7, C10, VD5 и замкнуть вывод «7» микросхемы DA1 на ее вывод «9» (общий провод). Можно функцию подогрева сохранить, а функцию защиты исключить — выбор за вами!

Какие элементы можно использовать при изготовлении балласта? Постоянные резисторы типа С2-33, С2-23 с допуском не хуже 5 %; неполярные конденсаторы (кроме высоковольтных) -К10-17б; высоковольтные конденсаторы — К78-2; полярные -К50-68. Дроссель L1 — любой малогабаритный, допускающий кратковременное протекание тока до 0,6 А. Трансформатор Т1 наматывается на кольце из феррита М2000НМ1 проводом ПЭТВ-2 диаметром 0,35 мм, а трансформатор Т2 — на Ш-образном магнитопроводе из того же материала с типоразмером Ш5 х 5. Обмотка 1- 2 содержит 330 витков провода ПЭТВ-2 диаметром 0,25…0,33 мм; обмотка 3-4 содержит 15 витков того же провода. После намотки между половинками магнитопровода Т2 нужно проложить прокладку толщиной 0,6 мм. Номиналы остальных элементов зависят от мощности лампы (на схеме помечены знаком «*») и приведены в таблице.

Выбор номиналов для балласта на основе КР1182ГГ2

Элемент схемы

Мощность лампы, Вт

7

11

13

15

С2

6,8 мкФ

10 мкФ

10 мкФ

15 мкФ

С8

2200 пФ

2200 пФ

3300 пФ

3300 пФ

Магн. T1

К10х6хЗ

К10х6хЗ

К16х 10×4,5

К16х10×4,5

T1 выв. «1-2»

8

8

10

10

Т1 выв. «3-4»

15

16

10

10

T1 выв. «5-6»

8

8

10

10

Част., кГц

37

40

28

32

Здесь мы не приводим печатной платы балласта и рекомендации по его сборке, поскольку они будут сильно зависеть от задач, решаемых читателями. Главное, чтобы элементы были малогабаритными и расстояния между ними оказались минимальными (для исключения паразитных индуктивных выбросов в схемах).